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Montagem de superfície N de JY13M 40V e motorista Ic Chip do Mosfet do poder do canal de P

Montagem de superfície N de JY13M 40V e motorista Ic Chip do Mosfet do poder do canal de P

Quantidade mínima: 1 grupo
preço: negotiable
embalagem padrão: CAIXA DO PE BAG+
Período de entrega: 5-10 dias
método de pagamento: T/T, L/C, Paypal
Capacidade de abastecimento: 1000sets/day
Informações pormenorizadas
Lugar de origem
CHINA
Marca
JUYI
Número do modelo
JY13M
Tensão da Dreno-fonte:
40 V
tensão da Porta-fonte:
±20V
Dissipação de poder máxima:
2W
Corrente pulsada do dreno:
30A
Velocidade de comutação rápida:
sim
Forma:
Quadrado
Destacar:

motorista CI do mosfet do canal de p

,

mosfet do motorista do CI

,

microplaqueta do motorista do mosfet

Descrição do produto

JY13M N e MOSFET do canal 40V de P para o motorista do motor de BLDC


DESCRIÇÃO GERAL


O JY13M é os transistor do campo do poder do modo do realce da lógica do canal de N e de P
Qual pode fornecer o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta. O complementar
Os MOSFETs podem ser usados na H-ponte, nos inversores e nas outras aplicações.


CARACTERÍSTICAS

Dispositivo VBR (DSS) RDS (SOBRE) MAX TJ =25ºC Pacote
N-canal 40V <30m>GS=10V, ID=12A TO252-4L
<40m>GS=4.5V, ID=8A
P-canal -40V <45m>GS=-10V, ID=-12A
<66m>GS=-4.5V, ID=-8A


●Baixa capacidade entrada
●Velocidade de comutação rápida

 

Avaliações máximas absolutas (Ta=25ºC salvo disposição em contrário)

Parâmetro Símbolo Canal de N Canal de P Unidade
Drene a tensão da fonte VDSS 40 -40 V
Tensão de fonte de porta VDSS ±20 ±20
Contínuo
Drene atual
Ta=25ºC Identificação 12 -12
Ta=100ºC 12 -12
Corrente pulsada do dreno IDM 30 -30
Poder máximo
Dissipação
Ta=25ºC Paládio 2 W
Ta=70ºC 1,3
Junção e armazenamento
Variação da temperatura
TJ TSTG -55 a 150 ºC
Resistência térmica
Junção a ambiental
RθJA 10s 25 ºC/W
Constante 60
Resistência térmica
Junção a encaixotar
RθJC 5,5 5 ºC/W


Características elétricas (Ta=25ºC salvo disposição em contrário)

Símbolo Parâmetro Circunstâncias Minuto Tipo Máximo Unidade
Estática
VGS (th) Ponto inicial da porta
Tensão
VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =250UA N-Ch 1,7 2,5 3,0 V
VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =-250UA P-Ch -1,7 -2 -3,0
IGSS Escapamento da porta
Atual
VDS =0V, VGS =±20V N-Ch ±100 nA
P-Ch ±100
IDSS Tensão zero da porta
Drene atual
VDS =40V, VGS =0V N-Ch 1 A
VDS =-40V, VGS =0V P-Ch -1
IDENTIFICAÇÃO (SOBRE) Dreno do Em-estado
Atual
VDS =5V, VGS =10V N-Ch 30
VDS =-5V, VGS =-10V P-Ch -30
RDS (SOBRE) Dreno-fonte
Em-estado
Resistência
VGS =10V, IDENTIFICAÇÃO =12A N-Ch 24 30
VGS =-10V, IDENTIFICAÇÃO =-12A P-Ch 36 45
VGS =4.5V, IDENTIFICAÇÃO =8A N-Ch 31 40
VGS =-4.5V, IDENTIFICAÇÃO =-8A P-Ch 51 66
VSD Diodo dianteiro
Tensão
É =1.0A, VGS =0V N-Ch 0,76 1,0 V
É =-1.0A, VGS =0V P-Ch -0,76 -1,0

 

Montagem de superfície N de JY13M 40V e motorista Ic Chip do Mosfet do poder do canal de P 0
 

MANUAL DO USUÁRIO DA TRANSFERÊNCIA JY13M

Montagem de superfície N de JY13M 40V e motorista Ic Chip do Mosfet do poder do canal de P 1JY13M.pdf

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Detalhes dos produtos
Montagem de superfície N de JY13M 40V e motorista Ic Chip do Mosfet do poder do canal de P
Quantidade mínima: 1 grupo
preço: negotiable
embalagem padrão: CAIXA DO PE BAG+
Período de entrega: 5-10 dias
método de pagamento: T/T, L/C, Paypal
Capacidade de abastecimento: 1000sets/day
Informações pormenorizadas
Lugar de origem
CHINA
Marca
JUYI
Número do modelo
JY13M
Tensão da Dreno-fonte:
40 V
tensão da Porta-fonte:
±20V
Dissipação de poder máxima:
2W
Corrente pulsada do dreno:
30A
Velocidade de comutação rápida:
sim
Forma:
Quadrado
Quantidade de ordem mínima:
1 grupo
Preço:
negotiable
Detalhes da embalagem:
CAIXA DO PE BAG+
Tempo de entrega:
5-10 dias
Termos de pagamento:
T/T, L/C, Paypal
Habilidade da fonte:
1000sets/day
Destacar

motorista CI do mosfet do canal de p

,

mosfet do motorista do CI

,

microplaqueta do motorista do mosfet

Descrição do produto

JY13M N e MOSFET do canal 40V de P para o motorista do motor de BLDC


DESCRIÇÃO GERAL


O JY13M é os transistor do campo do poder do modo do realce da lógica do canal de N e de P
Qual pode fornecer o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta. O complementar
Os MOSFETs podem ser usados na H-ponte, nos inversores e nas outras aplicações.


CARACTERÍSTICAS

Dispositivo VBR (DSS) RDS (SOBRE) MAX TJ =25ºC Pacote
N-canal 40V <30m>GS=10V, ID=12A TO252-4L
<40m>GS=4.5V, ID=8A
P-canal -40V <45m>GS=-10V, ID=-12A
<66m>GS=-4.5V, ID=-8A


●Baixa capacidade entrada
●Velocidade de comutação rápida

 

Avaliações máximas absolutas (Ta=25ºC salvo disposição em contrário)

Parâmetro Símbolo Canal de N Canal de P Unidade
Drene a tensão da fonte VDSS 40 -40 V
Tensão de fonte de porta VDSS ±20 ±20
Contínuo
Drene atual
Ta=25ºC Identificação 12 -12
Ta=100ºC 12 -12
Corrente pulsada do dreno IDM 30 -30
Poder máximo
Dissipação
Ta=25ºC Paládio 2 W
Ta=70ºC 1,3
Junção e armazenamento
Variação da temperatura
TJ TSTG -55 a 150 ºC
Resistência térmica
Junção a ambiental
RθJA 10s 25 ºC/W
Constante 60
Resistência térmica
Junção a encaixotar
RθJC 5,5 5 ºC/W


Características elétricas (Ta=25ºC salvo disposição em contrário)

Símbolo Parâmetro Circunstâncias Minuto Tipo Máximo Unidade
Estática
VGS (th) Ponto inicial da porta
Tensão
VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =250UA N-Ch 1,7 2,5 3,0 V
VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =-250UA P-Ch -1,7 -2 -3,0
IGSS Escapamento da porta
Atual
VDS =0V, VGS =±20V N-Ch ±100 nA
P-Ch ±100
IDSS Tensão zero da porta
Drene atual
VDS =40V, VGS =0V N-Ch 1 A
VDS =-40V, VGS =0V P-Ch -1
IDENTIFICAÇÃO (SOBRE) Dreno do Em-estado
Atual
VDS =5V, VGS =10V N-Ch 30
VDS =-5V, VGS =-10V P-Ch -30
RDS (SOBRE) Dreno-fonte
Em-estado
Resistência
VGS =10V, IDENTIFICAÇÃO =12A N-Ch 24 30
VGS =-10V, IDENTIFICAÇÃO =-12A P-Ch 36 45
VGS =4.5V, IDENTIFICAÇÃO =8A N-Ch 31 40
VGS =-4.5V, IDENTIFICAÇÃO =-8A P-Ch 51 66
VSD Diodo dianteiro
Tensão
É =1.0A, VGS =0V N-Ch 0,76 1,0 V
É =-1.0A, VGS =0V P-Ch -0,76 -1,0

 

Montagem de superfície N de JY13M 40V e motorista Ic Chip do Mosfet do poder do canal de P 0
 

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