|
| Quantidade mínima: | 1 grupo |
| preço: | negotiable |
| embalagem padrão: | CAIXA DO PE BAG+ |
| Período de entrega: | 5-10 dias |
| método de pagamento: | T/T, L/C, Paypal |
| Capacidade de abastecimento: | 1000sets/day |
MOSFET do poder de JY11M N Channel Enhancement Mode
DESCRIÇÃO GERAL
O JY11M utiliza as técnicas de processamento as mais atrasadas da trincheira para conseguir a pilha alta
a densidade e reduz a em-resistência com avaliação repetitiva alta da avalancha. Estes
as características combinam para fazer a este projeto um dispositivo extremamente eficiente e seguro para
uso na aplicação do interruptor do poder e uma grande variedade de outras aplicações.
CARACTERÍSTICAS
●100V/110A, RDS (SOBRE) =6.5MΩ@VGS=10V
●Interruptor rápido e recuperação reversa do corpo
●Caracterizou inteiramente a tensão e a corrente de avalancha
●Pacote excelente para a boa dissipação de calor
APLICAÇÕES
●Aplicação de comutação
●Circuitos duramente comutados e de alta frequência
●Gestão do poder para sistemas do inversor
Avaliações máximas absolutas (Tc=25ºC salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Limite | Unidade | |
| VDS | Tensão da Dreno-fonte | 100 | V | |
| VGS | Tensão da Porta-fonte | ± 20 | V | |
| Identificação | Dreno contínuo Atual |
Tc=25ºC | 110 | |
| Tc=100ºC | 82 | |||
| IDM | Corrente pulsada do dreno | 395 | ||
| Paládio | Dissipação de poder máxima | 210 | W | |
| TJ TSTG | Temperatura de funcionamento da junção e de armazenamento Escala |
-55 a +175 | ºC | |
| RθJC | Resistência-junção térmica a encaixotar | 0,65 | ºC/W | |
| RθJA | Resistência-junção térmica a ambiental | 62 |
Características elétricas (Ta=25ºC salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Circunstâncias | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| Características estáticas | ||||||
| BVDSS | Dreno-fonte Tensão de divisão |
VGS =0V, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 100 | V | ||
| IDSS | Tensão zero da porta Drene atual |
VDS =100V, VGS =0V | 1 | A | ||
| IGSS | Escapamento do Porta-corpo Atual |
=± 20V de VGS, VDS =0V | ± 100 | nA | ||
| VGS (th) | Ponto inicial da porta Tensão |
VDS = VGS, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| RDS (SOBRE) | Dreno-fonte resistência do Em-estado |
VGS =10V, IDENTIFICAÇÃO =40A | 6,5 | mΩ | ||
| gFS | Dianteiro Transcondutância |
VDS =50V, IDENTIFICAÇÃO =40A | 100 | S |
MANUAL DO USUÁRIO DA TRANSFERÊNCIA JY11M
Vídeo
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|
| Quantidade mínima: | 1 grupo |
| preço: | negotiable |
| embalagem padrão: | CAIXA DO PE BAG+ |
| Período de entrega: | 5-10 dias |
| método de pagamento: | T/T, L/C, Paypal |
| Capacidade de abastecimento: | 1000sets/day |
MOSFET do poder de JY11M N Channel Enhancement Mode
DESCRIÇÃO GERAL
O JY11M utiliza as técnicas de processamento as mais atrasadas da trincheira para conseguir a pilha alta
a densidade e reduz a em-resistência com avaliação repetitiva alta da avalancha. Estes
as características combinam para fazer a este projeto um dispositivo extremamente eficiente e seguro para
uso na aplicação do interruptor do poder e uma grande variedade de outras aplicações.
CARACTERÍSTICAS
●100V/110A, RDS (SOBRE) =6.5MΩ@VGS=10V
●Interruptor rápido e recuperação reversa do corpo
●Caracterizou inteiramente a tensão e a corrente de avalancha
●Pacote excelente para a boa dissipação de calor
APLICAÇÕES
●Aplicação de comutação
●Circuitos duramente comutados e de alta frequência
●Gestão do poder para sistemas do inversor
Avaliações máximas absolutas (Tc=25ºC salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Limite | Unidade | |
| VDS | Tensão da Dreno-fonte | 100 | V | |
| VGS | Tensão da Porta-fonte | ± 20 | V | |
| Identificação | Dreno contínuo Atual |
Tc=25ºC | 110 | |
| Tc=100ºC | 82 | |||
| IDM | Corrente pulsada do dreno | 395 | ||
| Paládio | Dissipação de poder máxima | 210 | W | |
| TJ TSTG | Temperatura de funcionamento da junção e de armazenamento Escala |
-55 a +175 | ºC | |
| RθJC | Resistência-junção térmica a encaixotar | 0,65 | ºC/W | |
| RθJA | Resistência-junção térmica a ambiental | 62 |
Características elétricas (Ta=25ºC salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Circunstâncias | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| Características estáticas | ||||||
| BVDSS | Dreno-fonte Tensão de divisão |
VGS =0V, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 100 | V | ||
| IDSS | Tensão zero da porta Drene atual |
VDS =100V, VGS =0V | 1 | A | ||
| IGSS | Escapamento do Porta-corpo Atual |
=± 20V de VGS, VDS =0V | ± 100 | nA | ||
| VGS (th) | Ponto inicial da porta Tensão |
VDS = VGS, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| RDS (SOBRE) | Dreno-fonte resistência do Em-estado |
VGS =10V, IDENTIFICAÇÃO =40A | 6,5 | mΩ | ||
| gFS | Dianteiro Transcondutância |
VDS =50V, IDENTIFICAÇÃO =40A | 100 | S |
MANUAL DO USUÁRIO DA TRANSFERÊNCIA JY11M
